Capteur de distance laser optique CMOS

Mesures

Type central de 30 mm

Mesures

Type central de 50 mm

Mesures

Type central de 100 mm

Mesures

Type central 200 mm

Mesures

Type de 400 mm central

300 μm (distance de mesure de 200 à 400 mm)

800 μm (distance de mesure 400 à 600 mm)

±0,3 % F.S. (distance de mesure 200 à 400mm)

± 0,4% F.S. (Distance de mesure 400 à 600 mm)

Classe laser Semiconductor rouge 2 [JIS / IEC / GB / FDA (note 2)]

Max. sortie : 1 mW, longueur d'onde maximale d'émission : 655 nm

Transistor à collecteur ouvert NPN

      • Courant maximal d'évier: 50mA

      • Tension appliquée: 30V DC ou moins

                      (Entre la sortie de contrôle à 0V)

      • Tension résiduelle: 1,5 V ou moins

                                  (À 50mma pair Current)

      • Courant de fuite : 0,1 mA ou moins

  Transistor PNP à collecteur ouvert

  • Courant de source maximum: 50mA

  • Tension appliquée: 30V DC ou moins

              (Entre la sortie de contrôle à + v)

  • Tension résiduelle: 1,5 V ou moins

                       (À 50mma Courant de la source)

   • Courant de fuite : 0,1 mA ou moins

• Plage de sortie: 0 à + 5V (à l'alarme: + 5,2 V)

• Impédance de sortie: 100Ω

• Plage de sortie: 4 à 20mA (à l'alarme: 0mA)

• Impédance de charge: 300Ω ou moins

 Entrée NPN sans contact

   • Conditions d'entrée

     Invalide: +8 à + v dc ou ouvert

     VALIDE: 0 à + 1,2 V CC

   • Impédance d'entrée : env. 10kΩ

  Entrée PNP sans contact

    • Conditions d'entrée

     Non valide: 0 à + 0,6 V CC ou ouvert

     VALIDE: +4 à + V CC

    • Impédance d'entrée: env. 10kΩ